Вчені з Фуданського Університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши новий пристрій флеш-пам’яті під назвою PoX. Цей пристрій може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що є значно швидше, ніж найшвидші сучасні технології. PoX є енергонезалежним і перевершує у швидкості навіть такі технології, як SRAM і DRAM. Для порівняння, потрібно від 1 до 10 наносекунд для запису одного біта в SRAM і DRAM. Цей новий пристрій в 2,5 рази швидший за найшвидші аналоги та до 25 разів швидший за повільніші. У процесі розробки використовувались алгоритми штучного інтелекту для оптимізації умов тестування та прискорення розвитку технології. Команда вчених зараз працює над тим, щоб перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у середу в журналі Nature.
